IPAW60R600P7SXKSA1
Symbol Micros:
TIPAW60r600p7s
Gehäuse: TO220iso
600V CoolMOS P7 Power Transistor
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 600mOhm |
| Max. Drainstrom: | 6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 21W |
| Gehäuse: | TO220FP |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 600mOhm |
| Max. Drainstrom: | 6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 21W |
| Gehäuse: | TO220FP |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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