IPAW60R600P7SXKSA1

Symbol Micros: TIPAW60r600p7s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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600V CoolMOS P7 Power Transistor
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 21W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPAW60R600P7SXKSA1 Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
135 stk.
Anzahl Stück 45+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,2839
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Standard-Verpackung:
45
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 600mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 21W
Gehäuse: TO220FP
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Montage: THT

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