IPB010N06NATMA1

Symbol Micros: TIPB010n06n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: D2PAK
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1mOhm
Max. Drainstrom: 180A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPB010N06NATMA1 RoHS Gehäuse: D2PAK t/r Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 5,3863 4,9606 4,7019 4,5678 4,4878
Standard-Verpackung:
300
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPB010N06NATMA1 Gehäuse: D2PAK  
Externes Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 4,4878
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1mOhm
Max. Drainstrom: 180A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD