IPB010N06NATMA1

Symbol Micros: TIPB010n06n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: D2PAK
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Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1mOhm
Max. Drainstrom: 180A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPB010N06NATMA1 RoHS Gehäuse: D2PAK t/r Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 5,3787 4,9536 4,6952 4,5614 4,4815
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Standard-Verpackung:
300
Widerstand im offenen Kanal: 1mOhm
Max. Drainstrom: 180A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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