IPB010N06NATMA1
Symbol Micros:
TIPB010n06n
Gehäuse: D2PAK
Trans MOSFET N-CH 60V 180A 7-Pin(6+Tab) D2PAK
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1mOhm |
| Max. Drainstrom: | 180A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | D2PAK |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPB010N06NATMA1 RoHS
Gehäuse: D2PAK t/r
Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 5,4354 | 5,0058 | 4,7447 | 4,6094 | 4,5287 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPB010N06NATMA1
Gehäuse: D2PAK
Externes Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 4,5287 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1mOhm |
| Max. Drainstrom: | 180A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | D2PAK |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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