IPB019N08N3 G
Symbol Micros:
TIPB019n08n3
Gehäuse: TO263/7
N-MOSFET 180A 80V 300W 0.0019Ω IPB019N08N3GATMA1 Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,9mOhm |
| Max. Drainstrom: | 100A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO263/7 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,9mOhm |
| Max. Drainstrom: | 100A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO263/7 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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