IPB019N08N3 G

Symbol Micros: TIPB019n08n3
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Gehäuse: TO263/7
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N-MOSFET 180A 80V 300W 0.0019Ω IPB019N08N3GATMA1 Trans MOSFET N-CH 80V 180A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,9mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO263/7
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPB019N08N3GATMA1 Gehäuse: TO263/7  
Externes Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,8741
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,9mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO263/7
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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