IPB031N08N5
Symbol Micros:
TIPB031n08n5
Gehäuse: TO263/3
MOSFET N-CH 80V TO263-3 IPB031N08N5ATMA1
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,1mOhm |
| Max. Drainstrom: | 120A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 167W |
| Gehäuse: | TO263/3 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,1mOhm |
| Max. Drainstrom: | 120A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 167W |
| Gehäuse: | TO263/3 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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