IPB054N08N3G

Symbol Micros: TIPB054n08n3g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: D2PAK
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Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive IPB054N08N3GATMA1
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5,4mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPB054N08N3GATMA1 Gehäuse: D2PAK  
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Anzahl Stück 1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,4715
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Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 5,4mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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