IPB054N08N3G

Symbol Micros: TIPB054n08n3g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: D2PAK
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Trans MOSFET N-CH 80V 80A Automotive IPB054N08N3GATMA1
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5,4mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPB054N08N3GATMA1 Gehäuse: D2PAK  
Externes Lager:
14000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5413
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 5,4mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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