IPB072N15N3G Infineon
Symbol Micros:
TIPB072n15n3g
Gehäuse: TO263/3
N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 7,7 mOhm; 100A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPB072N15N3GATMA1; IPB072N15N3GE8187; IPB072N15N3G E8187;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 7,7mOhm |
| Max. Drainstrom: | 100A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO263/3 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPB072N15N3G RoHS
Gehäuse: TO263/3
Datenblatt
Auf Lager:
70 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,5506 | 2,1022 | 1,9317 | 1,8429 | 1,8219 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 7,7mOhm |
| Max. Drainstrom: | 100A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO263/3 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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