IPB083N10N3 G
Symbol Micros:
TIPB083n10n3
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET 80A 100V 125W 0.0083Ω IPB083N10N3GATMA1; IPB083N10N3;
Parameter
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole