IPB090N06N3G INFINEON

Symbol Micros: TIPB090n06n3
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Gehäuse: TO263/3
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 9,3 mOhm; 50A; 71W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPB090N06N3GATMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9,3mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 71W
Gehäuse: TO263/3
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPB090N06N3G RoHS Gehäuse: TO263/3 Datenblatt
Auf Lager:
126 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8712 0,5512 0,4344 0,3971 0,3784
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 9,3mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 71W
Gehäuse: TO263/3
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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