IPB090N06N3G INFINEON

Name: TIPB090n06n3 TIPB090n06n3
Brand: Infineon
SKU: TIPB090n06n3
Price: 0.3800 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIPB090n06n3

Gehäuse: TO263/3

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 9,3 mOhm; 50A; 71W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPB090N06N3GATMA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	9,3mOhm
Max. Drainstrom:	50A
Maximaler Leistungsverlust:	71W
Gehäuse:	TO263/3
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPB090N06N3G RoHS Gehäuse: TO263/3 Datenblatt

Auf Lager:

126 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,8750	0,5536	0,4363	0,3988	0,3800

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPB090N06N3GATMA1 Gehäuse: TO263/3

Externes Lager:

15000 stk.

Anzahl Stück	2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3800

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPB090N06N3GATMA1 Gehäuse: TO263/3

Externes Lager:

2000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3800

Widerstand im offenen Kanal:	9,3mOhm
Max. Drainstrom:	50A
Maximaler Leistungsverlust:	71W
Gehäuse:	TO263/3
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD