IPB107N20N3G INFINEON
Symbol Micros:
TIPB107n20n3g
Gehäuse: TO263/3
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 11mOhm; 88A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPB107N20N3GATMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 11mOhm |
Max. Drainstrom: | 88A |
Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
Gehäuse: | TO263/3 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 11mOhm |
Max. Drainstrom: | 88A |
Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
Gehäuse: | TO263/3 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | SMD |
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