G120P06M

Symbol Micros: TIPB110p06lm GO

Gehäuse: TO263

MOSFET-Transistor; TO-263; P-Channel; NO ESD; -60V; -120A; 277W; -2,5 V; 8,5mOhm IPB110P06LM; IRF9Z34S, SiHF9Z34S

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	8,5mOhm
Max. Drainstrom:	120A
Maximaler Leistungsverlust:	277W
Gehäuse:	TO263
Hersteller:	GOFORD
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	8,5mOhm
Max. Drainstrom:	120A
Maximaler Leistungsverlust:	277W
Gehäuse:	TO263
Hersteller:	GOFORD
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD