IPB60R190C6 INFINEON
Symbol Micros:
TIPB60r190c6
Gehäuse: D2PAK
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IPB60R190C6ATMA1
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 190mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 151W |
| Gehäuse: | D2PAK |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 190mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 151W |
| Gehäuse: | D2PAK |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole