IPB60R190C6 INFINEON
Symbol Micros:
TIPB60r190c6
Gehäuse: D2PAK
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IPB60R190C6ATMA1
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 190mOhm |
Max. Drainstrom: | 20,2A |
Maximaler Leistungsverlust: | 151W |
Gehäuse: | D2PAK |
Hersteller: | INFINEON |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPB60R190C6ATMA1
Gehäuse: D2PAK
Externes Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 1,2721 |
Widerstand im offenen Kanal: | 190mOhm |
Max. Drainstrom: | 20,2A |
Maximaler Leistungsverlust: | 151W |
Gehäuse: | D2PAK |
Hersteller: | INFINEON |
Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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