IPB60R190C6 INFINEON

Symbol Micros: TIPB60r190c6
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: D2PAK
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Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IPB60R190C6ATMA1
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 190mOhm
Max. Drainstrom: 20,2A
Maximaler Leistungsverlust: 151W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPB60R190C6ATMA1 Gehäuse: D2PAK  
Externes Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,2670
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 190mOhm
Max. Drainstrom: 20,2A
Maximaler Leistungsverlust: 151W
Gehäuse: D2PAK
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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