IPD031N06L3G Infineon

Symbol Micros: TIPD031n06l3g

Gehäuse: TO252/3 (DPAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 5,2 mOhm; 100A; 167W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPD031N06L3GATMA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	5,2mOhm
Max. Drainstrom:	100A
Maximaler Leistungsverlust:	167W
Gehäuse:	TO252/3 (DPAK)
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	5,2mOhm
Max. Drainstrom:	100A
Maximaler Leistungsverlust:	167W
Gehäuse:	TO252/3 (DPAK)
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD