IPD048N06L3G
Symbol Micros:
TIPD048n06l3g
Gehäuse: DPAK
N-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 8,2 mOhm; 90A; 115 W; -55 °C ~ 175 °C; IPD048N06L3GBTMA1 IPD048N06L3 G SP000453334
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 8,2mOhm |
| Max. Drainstrom: | 90A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 115W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 8,2mOhm |
| Max. Drainstrom: | 90A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 115W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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