IPD060N03LG Infineon
Symbol Micros:
TIPD060n03l
Gehäuse: TO252/3 (DPAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 9mOhm; 50A; 56W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPD060N03LGBTMA1; IPD060N03LGATMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 9mOhm |
Max. Drainstrom: | 50A |
Maximaler Leistungsverlust: | 56W |
Gehäuse: | TO252/3 (DPAK) |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPD060N03LGATMA1
Gehäuse: TO252/3 (DPAK)
Externes Lager:
21136 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2131 |
Widerstand im offenen Kanal: | 9mOhm |
Max. Drainstrom: | 50A |
Maximaler Leistungsverlust: | 56W |
Gehäuse: | TO252/3 (DPAK) |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole