IPD060N03LG Infineon

Symbol Micros: TIPD060n03l
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Gehäuse: TO252/3 (DPAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 9mOhm; 50A; 56W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPD060N03LGBTMA1; IPD060N03LGATMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 56W
Gehäuse: TO252/3 (DPAK)
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPD060N03LGATMA1 Gehäuse: TO252/3 (DPAK)  
Externes Lager:
20000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2133
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 9mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 56W
Gehäuse: TO252/3 (DPAK)
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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