TIPD068p03l3g
Symbol Micros:
TIPD068p03l3g
Gehäuse: TO252
Tranzystor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 11mOhm; 70A; 100W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IPD068P03L3GATMA1; IPD068P03L3GBTMA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 11mOhm |
| Max. Drainstrom: | 70A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 100W |
| Gehäuse: | TO252 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 11mOhm |
| Max. Drainstrom: | 70A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 100W |
| Gehäuse: | TO252 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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