IPD079N06L3GBTMA1
Symbol Micros:
TIPD079n06l3g
Gehäuse: DPAK
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 7,9 mOhm; 50A; 79W; -55°C~175°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 7,9mOhm |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 79W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 7,9mOhm |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 79W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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