IPD090N03LG Infineon
Symbol Micros:
TIPD090n03lg
Gehäuse: TO252/3 (DPAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 13,5 mOhm; 40A; 42W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPD090N03LGATMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 13,5mOhm |
Max. Drainstrom: | 40A |
Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
Gehäuse: | TO252/3 (DPAK) |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 13,5mOhm |
Max. Drainstrom: | 40A |
Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
Gehäuse: | TO252/3 (DPAK) |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | SMD |
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