IPD110N12N3GATMA1

Symbol Micros: TIPD110n12n3g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 120V; 20V; 11mOhm; 75A; 136W; -55°C~175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 75A
Maximaler Leistungsverlust: 136W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 120V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPD110N12N3GATMA1 Gehäuse: DPAK  
Externes Lager:
37500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,6780
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 75A
Maximaler Leistungsverlust: 136W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 120V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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