IPD135N03LGATMA1

Symbol Micros: TIPD135n03lg
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Gehäuse: DPAK
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Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13,5mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 31W
Gehäuse: D-PAK
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPD135N03LGATMA1 Gehäuse: DPAK  
Externes Lager:
17500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1803
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 13,5mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 31W
Gehäuse: D-PAK
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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