IPD15N06S2L64ATMA2

Symbol Micros: TIPD15n06s2l64
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 64mOhm; 19A; 47W; -55°C~175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 64mOhm
Max. Drainstrom: 19A
Maximaler Leistungsverlust: 47W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPD15N06S2L64ATMA2 Gehäuse: DPAK  
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40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 64mOhm
Max. Drainstrom: 19A
Maximaler Leistungsverlust: 47W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD