IPD180N10N3G Infineon
Symbol Micros:
TIPD180n10n3g
Gehäuse: TO252/3 (DPAK)
N-MOSFET 100V 43A 71W 18mΩ IPD180N10N3GBTMA1 IPD180N10N3GATMA1
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 18mOhm |
| Max. Drainstrom: | 43A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 71W |
| Gehäuse: | TO252/3 (DPAK) |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 18mOhm |
| Max. Drainstrom: | 43A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 71W |
| Gehäuse: | TO252/3 (DPAK) |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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