IPD30N03S4L09ATMA1
Symbol Micros:
TIPD30n03s4l09
Gehäuse: DPAK
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 16V; 9mOhm; 30A; 42W; -55°C~175°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 9mOhm |
| Max. Drainstrom: | 30A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPD30N03S4L09ATMA1
Gehäuse: DPAK
Externes Lager:
2500 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2191 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPD30N03S4L09ATMA1
Gehäuse: DPAK
Externes Lager:
115000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2149 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 9mOhm |
| Max. Drainstrom: | 30A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 16V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole