IPD30N06S215ATMA2

Symbol Micros: TIPD30n06s215
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 14,7 mOhm; 30A; 136W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 14,7mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 136W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPD30N06S215ATMA2 Gehäuse: DPAK  
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Nettopreis (EUR) 0,5927
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Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 14,7mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 136W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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