IPD50P04P4L11ATMA2

Symbol Micros: TIPD50p04p4l11
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 10V; 10,6 mOhm; 50A; 58W; -55°C~175°C; Äquivalent: IPD50P04P4L-11; IPD50P04P4L11ATMA1; IPD50P04P4L11ATMA2; IPD50P04P4L11;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10,6mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 58W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPD50P04P4L-11 RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt
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Nettopreis (EUR) 1,2998 0,9105 0,7737 0,7077 0,6841
Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 10,6mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 58W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 10V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD