IPD50R1K4CEAUMA1
Symbol Micros:
TIPD50r1k4ce
Gehäuse: DPAK
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 1,4 Ohm; 4,8A; 42W; -55°C~150°C; Äquivalent: IPD50R1K4CEBTMA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,4Ohm |
| Max. Drainstrom: | 3,1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPD50R1K4CEAUMA1
Gehäuse: DPAK
Externes Lager:
10000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1633 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,4Ohm |
| Max. Drainstrom: | 3,1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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