IPD50R500CE INFINEON
Symbol Micros:
TIPD50r500ce
Gehäuse: TO252/3 (DPAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 550V; 30V; 1,18 Ohm; 7,6A; 57W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPD50R500CEATMA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,18Ohm |
| Max. Drainstrom: | 7,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 57W |
| Gehäuse: | TO252/3 (DPAK) |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 550V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,18Ohm |
| Max. Drainstrom: | 7,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 57W |
| Gehäuse: | TO252/3 (DPAK) |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 550V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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