IPD60R280CFD7ATMA1

Symbol Micros: TIPD60r280cfd7
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252/3 (DPAK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 280 mOhm; 9A; 51W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 51W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 51W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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