IPD60R280P7S Infineon Technologies

Symbol Micros: TIPD60r280p7s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 501 mOhm; 12A; 53W; -40 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPD60R280P7SAUMA1; IPD60R280P7SE8228AUMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 501mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 53W
Gehäuse: TO252
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPD60R280P7SAUMA1 Gehäuse: TO252  
Externes Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3024
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 501mOhm
Max. Drainstrom: 12A
Maximaler Leistungsverlust: 53W
Gehäuse: TO252
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole