IPD60R360P7ATMA1

Symbol Micros: TIPD60r360p7
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
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Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 360mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 41W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPD60R360P7ATMA1 Gehäuse: DPAK  
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Nettopreis (EUR) 0,5025
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Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 360mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 41W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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