IPD65R660CFDATMA2
Symbol Micros:
TIPD65R660CFDATMA2
Gehäuse: DPAK
LOW POWER_LEGACY Ähnlich zu: IPD65R660CFDBTMA1; Transistoren - FETs, MOSFETs - Singles
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 660mOhm |
| Max. Drainstrom: | 6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 63W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 700V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 660mOhm |
| Max. Drainstrom: | 6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 63W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 700V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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