IPD70R360P7S

Symbol Micros: TIPD70r360p7s

Gehäuse: TO252 (DPAK)

Transistor N-Kanal MOSFET; 700V; 30V; 360mOhm; 12,5A; 59,5W; -40°C ~ 150°C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	360mOhm
Max. Drainstrom:	12,5A
Maximaler Leistungsverlust:	59,5W
Gehäuse:	TO252 (DPAK)
Hersteller:	INFINEON
Max. Drain-Source Spannung:	700V
Max. Gate-Source Spannung:	30V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPD70R360P7SAUMA1 RoHS Gehäuse: TO252 (DPAK) t/r Datenblatt

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Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,6287	0,3964	0,3098	0,2825	0,2733

Widerstand im offenen Kanal:	360mOhm
Max. Drainstrom:	12,5A
Maximaler Leistungsverlust:	59,5W
Gehäuse:	TO252 (DPAK)
Hersteller:	INFINEON
Max. Drain-Source Spannung:	700V
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 150°C
Montage:	SMD