TIPD80r3k3p7
Symbol Micros:
TIPD80r3k3p7
Gehäuse: DPAK
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 3,3Ohm; 1,9A; 18W; -55°C~150°C; Odpowiednik: IPD80R3K3P7ATMA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,3Ohm |
| Max. Drainstrom: | 1,9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 18W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,3Ohm |
| Max. Drainstrom: | 1,9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 18W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
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