TIPD80r3k3p7

Symbol Micros: TIPD80r3k3p7
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
Zu favoriten hinzufügen
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 3,3Ohm; 1,9A; 18W; -55°C~150°C; Odpowiednik: IPD80R3K3P7ATMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,3Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 18W
Max. Drainstrom: 1,9A
Gehäuse: DPAK
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPD80R3K3P7ATMA1 Gehäuse: DPAK  
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,2545
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3,3Ohm
Maximaler Leistungsverlust: 18W
Max. Drainstrom: 1,9A
Gehäuse: DPAK
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole