IPD90N03S4L03ATMA1
Symbol Micros:
TIPD90n03s4l03
Gehäuse: DPAK
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 16V; 3,3 mOhm; 90A; 94W; -55°C~175°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 90A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 94W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 90A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 94W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 16V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
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