IPD90R1K2C3 INFINEON

Symbol Micros: TIPD90r1k2c3

Gehäuse: TO252

N-Channel-MOSFET-Transistor; 900V; 30V; 2,5 Ohm; 5.1A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPD90R1K2C3ATMA1; IPD90R1K2C3BTMA1; IPD90R1K2C3ATMA2;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2,5Ohm
Max. Drainstrom:	5,1A
Maximaler Leistungsverlust:	83W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	900V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPD90R1K2C3 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

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50 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	1,2411	0,8702	0,7395	0,6766	0,6532

Widerstand im offenen Kanal:	2,5Ohm
Max. Drainstrom:	5,1A
Maximaler Leistungsverlust:	83W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	900V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD