IPD95R450P7ATMA1

Symbol Micros: TIPD95r450p7

Gehäuse: DPAK

Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK IPD95R450P7

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	450mOhm
Max. Drainstrom:	14A
Maximaler Leistungsverlust:	104W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	950V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	450mOhm
Max. Drainstrom:	14A
Maximaler Leistungsverlust:	104W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	950V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD