IPD95R750P7ATMA1

Symbol Micros: TIPD95r750p7
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Gehäuse: DPAK
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 950V; 20V; 750 mOhm; 9A; 73W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 750mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 73W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 950V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPD95R750P7ATMA1 Gehäuse: DPAK  
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7500 stk.
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Nettopreis (EUR) 0,6799
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2500
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Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 750mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 73W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 950V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C

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