IPD95R750P7ATMA1

Symbol Micros: TIPD95r750p7
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
N-Channel-MOSFET-Transistor; 950V; 20V; 750 mOhm; 9A; 73W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 750mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 73W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 950V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 750mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 73W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 950V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C