IPG16N10S461AATMA1

Symbol Micros: TIPG16n10s461a
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TDSON-8
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 100V; 25V; 61mOhm; 16A; 29W; -55°C~175°C; Äquivalent: IPG16N10S461ATMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 61mOhm
Max. Drainstrom: 16A
Maximaler Leistungsverlust: 29W
Gehäuse: TDSON-8
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 61mOhm
Max. Drainstrom: 16A
Maximaler Leistungsverlust: 29W
Gehäuse: TDSON-8
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C