IPG16N10S461AATMA1

Symbol Micros: TIPG16n10s461a
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Gehäuse: TDSON-8
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2xN-Channel MOSFET-Transistor; 100V; 25V; 61mOhm; 16A; 29W; -55°C~175°C; Äquivalent: IPG16N10S461ATMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 61mOhm
Max. Drainstrom: 16A
Maximaler Leistungsverlust: 29W
Gehäuse: TDSON-8
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPG16N10S461ATMA1 Gehäuse: TDSON-8  
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Nettopreis (EUR) 0,4754
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5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 61mOhm
Max. Drainstrom: 16A
Maximaler Leistungsverlust: 29W
Gehäuse: TDSON-8
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C

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