G60N04D52

Symbol Micros: TIPG20n04s4l08 GO

Gehäuse: DFN08(5x6)

MOSFET-Transistor; DFN5*6-8L; DUAL; N+N-Channel; NO ESD; 40V; 60A; 65W; 12mOhm IPG20N04S4L08ATMA1; AON6884

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	12mOhm
Max. Drainstrom:	60A
Maximaler Leistungsverlust:	65W
Gehäuse:	DFN08(5x6) Dual
Hersteller:	GOFORD
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	2xN-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	12mOhm
Max. Drainstrom:	60A
Maximaler Leistungsverlust:	65W
Gehäuse:	DFN08(5x6) Dual
Hersteller:	GOFORD
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD