IPG20N06S2L35ATMA1

Symbol Micros: TIPG20n06s2l35
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Gehäuse: TDSON-8
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Trans MOSFET N-CH 55V 20A Automotive 8-Pin TDSON EP
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 44mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 65W
Gehäuse: TDSON-8
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPG20N06S2L35ATMA1 Gehäuse: TDSON-8  
Externes Lager:
50000 stk.
Anzahl Stück 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4780
Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 44mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 65W
Gehäuse: TDSON-8
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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