IPI045N10N3GXKSA1
Symbol Micros:
TIPI045n10n3g
Gehäuse: TO262
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 4,5 mOhm; 100A; 214 W; -55°C~175°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 100A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 214W |
| Gehäuse: | TO262 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 100A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 214W |
| Gehäuse: | TO262 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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