IPI120N04S401AKSA1

Symbol Micros: TIPI120n04s401
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO262
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 11mOhm; 88A; 300 W; -55°C~175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 88A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO262
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 88A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO262
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT