IPI120N04S401AKSA1

Symbol Micros: TIPI120n04s401
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO262
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 11mOhm; 88A; 300 W; -55°C~175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 88A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO262
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPI120N04S401AKSA1 Gehäuse: TO262  
Externes Lager:
9000 stk.
Anzahl Stück 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,2529
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Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 11mOhm
Max. Drainstrom: 88A
Maximaler Leistungsverlust: 300W
Gehäuse: TO262
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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