IPN50R2K0CEATMA1
Symbol Micros:
TIPN50r2k0ce
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 2Ohm; 3,6A; 5W; -40°C~150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 3,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 5W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPN50R2K0CEATMA1
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
609000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1123 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPN50R2K0CEATMA1
Gehäuse: SOT223
Externes Lager:
4100 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1139 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 3,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 5W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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