IPN50R950CEATMA1

Symbol Micros: TIPN50r950ce
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; +/-20V; 950 mOhm; 6,6A; 5W; -40°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 950mOhm
Max. Drainstrom: 6,6A
Maximaler Leistungsverlust: 5W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPN50R950CEATMA1 Gehäuse: SOT223  
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3000 stk.
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Nettopreis (EUR) 0,1584
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 950mOhm
Max. Drainstrom: 6,6A
Maximaler Leistungsverlust: 5W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Montage: SMD

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