IPN60R1K0PFD7S

Symbol Micros: TIPN60r1k0pfd7s

Gehäuse: SOT223

N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 1,978 Ohm; 4,7A; 6W; -40 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPN60R1K0PFDS7SATMA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,978Ohm
Max. Drainstrom:	4,7A
Maximaler Leistungsverlust:	6W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	1,978Ohm
Max. Drainstrom:	4,7A
Maximaler Leistungsverlust:	6W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 150°C
Montage:	SMD