IPN60R2K0PFD7S

Symbol Micros: TIPN60r2k0pfd7s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 3,825 Ohm; 3A; 6W; -40 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPN60R2K0PFD7SATMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,825Ohm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 6W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 3,825Ohm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 6W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Montage: SMD

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