IPN60R2K0PFD7S

Symbol Micros: TIPN60r2k0pfd7s

Gehäuse: SOT223

N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 3,825 Ohm; 3A; 6W; -40 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPN60R2K0PFD7SATMA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	3,825Ohm
Max. Drainstrom:	3A
Maximaler Leistungsverlust:	6W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPN60R2K0PFD7SATMA1 Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1953

Widerstand im offenen Kanal:	3,825Ohm
Max. Drainstrom:	3A
Maximaler Leistungsverlust:	6W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 150°C
Montage:	SMD