IPN60R360PFD7S

Symbol Micros: TIPN60r360pfd7s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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N-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 705 mOhm; 10A; 7W; -40 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPN60R360PFD7SATMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 705mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 7W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPN60R360PFD7SATMA1 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 47+ 188+
Nettopreis (EUR) 0,9846 0,7220 0,5790 0,4993 0,4689
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Standard-Verpackung:
47
Widerstand im offenen Kanal: 705mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 7W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Montage: SMD

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