IPN60R360PFD7S

Symbol Micros: TIPN60r360pfd7s

Gehäuse: SOT223

N-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 705 mOhm; 10A; 7W; -40 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPN60R360PFD7SATMA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	705mOhm
Maximaler Leistungsverlust:	7W
Max. Drainstrom:	10A
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	705mOhm
Maximaler Leistungsverlust:	7W
Max. Drainstrom:	10A
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 150°C
Montage:	SMD