IPN60R3K4CEATMA1 INFINEON
Symbol Micros:
TIPN60r3k4ce
Gehäuse: SOT223
Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,4kOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 5W |
| Gehäuse: | SOT223-3 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 3,4kOhm |
| Max. Drainstrom: | 2,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 5W |
| Gehäuse: | SOT223-3 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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