IPN60R3K4CEATMA1 INFINEON

Symbol Micros: TIPN60r3k4ce
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin SOT-223 T/R
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,4kOhm
Max. Drainstrom: 2,6A
Maximaler Leistungsverlust: 5W
Gehäuse: SOT223-3
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPN60R3K4CE RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3185 0,1749 0,1376 0,1274 0,1221
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPN60R3K4CEATMA1 Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
225000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,1221
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3,4kOhm
Max. Drainstrom: 2,6A
Maximaler Leistungsverlust: 5W
Gehäuse: SOT223-3
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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