IPN60R600P7S

Name: TIPN60r600p7s TIPN60r600p7s
Brand: Infineon
SKU: TIPN60r600p7s
Price: 0.5398 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIPN60r600p7s

Gehäuse: SOT223

N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 1,145 Ohm; 6A; 7W; -40 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPN60R600P7SATMA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,145mOhm
Max. Drainstrom:	6A
Maximaler Leistungsverlust:	7W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPN60R600P7SATMA1 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt

Auf Lager:

20 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	1,1335	0,7533	0,6242	0,5632	0,5398

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPN60R600PFD7SATMA1 Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5398

Widerstand im offenen Kanal:	1,145mOhm
Max. Drainstrom:	6A
Maximaler Leistungsverlust:	7W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 150°C
Montage:	SMD