IPN70R750P7SATMA1

Symbol Micros: TIPN70r750p7s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 700V; +/-16V; 750 mOhm; 6,5A; 6,7 W; -40°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 750mOhm
Max. Drainstrom: 6,5A
Maximaler Leistungsverlust: 6,7W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 700V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPN70R750P7SATMA1 Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1529
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 750mOhm
Max. Drainstrom: 6,5A
Maximaler Leistungsverlust: 6,7W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 700V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Montage: SMD