IPN70R750P7SATMA1

Symbol Micros: TIPN70r750p7s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 700V; +/-16V; 750 mOhm; 6,5A; 6,7 W; -40°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 750mOhm
Max. Drainstrom: 6,5A
Maximaler Leistungsverlust: 6,7W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 700V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 750mOhm
Max. Drainstrom: 6,5A
Maximaler Leistungsverlust: 6,7W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 700V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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