TIPN80r2k4p7

Symbol Micros: TIPN80r2k4p7
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Gehäuse: SOT223
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Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; +/-20V; 2,4Ohm; 2,4A; 6,3W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,4Ohm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 6,3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPN80R2K4P7ATMA1 Gehäuse: SOT223  
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Nettopreis (EUR) 0,2620
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Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 2,4Ohm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 6,3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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